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索尼研发最顶级高功率红光半导体激光阵列
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  索尼公司21日宣布已经研发出高功率、短波长的红光半导体激光二极管阵列,作为投影器件的理想光源。
  
  为了让红光半导体激光二极管阵列能够适用在投影器件上,它们必须符合高亮度,高效率和室温下工作的要求。这一新开发的激光二极管阵列,实现了振幅波长635nm,产生的亮度水平是传统红光半导体激光的1.6倍。
  
  激光阵列是由25个宽条纹激光组成,每一个激光棒的长度是10mm。激光棒安装在一个铜散热器座上。索尼在激光活跃层内实现了最佳的一致性,高纯度晶体层,以及在AlInP电镀层内掺杂高浓度的镁,这一系列措施确保实现低阈值电流和改善激光特性。为了附着激光阵列和散热器,索尼引入了新的die bonding封装技术,从而实现激光阵列中高水准的散热能力。此外,激光棒安装过程的精确性也有了进一步的改善,以提供激光阵列和光学部件之间先进的耦合效率。正因为这些技术上的进步,新的红光半导体激光阵列拥有635nm波长, 7.2瓦特光功率, 23 %的能量转换效率,以及在25°C的室温条件运作的能力。这些散热和光学特性,使它非常容易应用在投影器件的设计中。
  
  索尼将于9月2日到9月5日,在日本名古屋市Chubu大学举行的第69届日本社会应用物理学秋季大会上展示这些成果。

来源:中国电子工业网

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