美国东部时间8月18日，IBM宣布其联合了AMD，意法半导体等研发的22纳米SRAM（静态随机存取内存）芯片制造工艺已取得成功，该芯片将会在其位于纽约州的300毫米研发工厂进行测试和试产。

    据悉，AMD本次发布的22纳米技术领先当前市场芯片最高工艺两倍，这一技术已经打破上一代的半导体芯片密度界限。

    目前市场上所销售的芯片产品最高工艺为45纳米工艺，而Intel研发的世界首款32纳米工艺的芯片预计将于本周在美国的英特尔2008年秋季信息技术峰会上面世。

来源：新民晚报