英特尔(Intel)与美光(Micron)合作推出了34纳米32Gb的多层单元(MLC)芯片，是业内首款小于40纳米的NAND闪存器件，据称在制程竞赛方面走在了东芝(Toshiba)、三星(Samsung)和其它厂商的前面。

　　分析师对英特尔-美光的NAND声明有何看法？好消息：英特尔和美光在NAND闪存领域突破了1.00美元/GB的障碍。坏消息：时机不对。

　　“NAND市场供应过剩，”Objective Analysis的分析师Jim Handy表示，“SanDisk最近表示，全年都将保持供过于求状态。我们预计目前的供应过剩局面将持续到2008年底。”

　　2009年前景如何？“转向34纳米可能导致NAND市场继续供求过剩，持续时间可能长于Objective Analysis在2007年12月的预测，当时我们预测供应过剩局面将持续到2009年年中。转向34纳米可能导致供应过剩局面再延长一个季度，”Handy警告说。

　　另一方面，英特尔和美光在NAND领域取得了几个方面的技术领先地位。上述34纳米器件是由英特尔与美光的合资企业IM Flash Technologies LLC开发的。

　　“双方表示他们在2006年进入该市场，当时采用的是72纳米技术，他们认为当时比竞争对手落后两年左右，”Handy表示。英特尔和美光“追上并超过了竞争对手，大约领先对手六个月。”

　　英特尔和美光在其它方面也走在了前面。Handy表示：“采用172mm2裸片面积和300mm晶圆，英特尔和美光估计每片晶圆可以得到大约400个裸片，32Gb芯片的价格将略低于4.00美元，相当于大约0.99美元/GB。”

　　“这款产品将使两家公司成为业内首次突破1.00美元/GB关口的公司，”他说，“要知道，目前的MLC NAND价格徘徊在2.50美元/GB左右。该产品的价格相当于利用300mm晶圆生产的54纳米MLC芯片，或者利用200mm晶圆生产的45纳米MLC NAND。”

　　他们能否保持领先优势？“多数NAND厂商都计划今年提高300mm生产线的45纳米芯片产量，300mm生产线的45纳米MLC NAND生产成本约为1.75美元/GB，”他说，“如果成本降到0.99美元/GB，只要NAND价格保持在其竞争对手的成本之上，则IM Flash新推出的芯片预计可以实现令人瞩目的利率。”

来源：国际电子商情