在成功的进行了90nm应用后，e-Shuttle公司日前交付了采用电子束直写(EBDW)光刻技术的65nmCMOS逻辑电路原型。该公司表示，这是EBDW技术第一次在复杂逻辑芯片制造领域的全面（full-scale）应用。

    日本富士通和Advantest公司于2006年底建立了e-Shuttle公司，该公司主要提供先进大规模集成电路的原型服务。从富士通的设计到采用多项目平台与客户共担开发成本，e-Shuttle专注于shuttleservice（用一个晶圆试制多个品种芯片的服务）。在其300mm晶圆shuttleservice中，他们利用电子束直写技术制作通孔层，极大地缩减了掩膜版在形成极细互连的通孔层上带来的成本。

    在90nm工艺节点，e-Shuttle曾为IC设计公司eASIC制作了ASIC结构。通过利用EBDW技术，制造出单层的通孔互连图形，从而提供了很短的交货周期。据公司总裁HaruoTsuchikawa介绍，e-Shuttle公司目前进行40nm工艺技术研发，预计于2008年底提供试制能力。

    与其说这种技术是对掩膜版制造商的威胁，还不如说是对基于掩膜的光刻技术

    的重要补充。事实上，e-Shuttle宣称，他们与设计（DesignHouse）伙伴的合作，其中也包括了掩膜版制造商，如大日本印刷（DNP)、凸版印刷（ToppanPrinting）和Hoya，共同为客户提供IC原型服务。

    “无掩膜支持商e-Shuttle与掩膜版制造商的合作，可以认为是业界发展方向的一个重要信号，”Tsuchikawa表示，“在日本的这些合作，是我们与业界的第一次联盟，我们也致力于同国际上原型公司的合作关系，目前正在与来自美国、欧洲和中国的这些公司进行协商。”

    e-Shuttle同时宣布了其产能的扩张，将于本月底首次展示其第二个电子束光刻工作站。第一个光刻工作站于2007年11月投入服务运营，利用300mm晶圆制造全面的产品。

来源：半导体国际