全球的内存大厂赔钱销售DRAM和NAND Flash芯片多时，终于有业者忍不住了！韩国半导体大厂海力士（Hynix）打响第1炮，日前将正式减产NAND Flash产能，占全球NAND Flash产能达5%之多；内存业者透露，海力士的8英寸厂采用57纳米工艺生产NAND Flash，成本实在太高，因此忍痛止血，将减产NAND Flash，反映在第2季度产出上。同时，也传出海力士2座生产NAND Flash的8英寸厂出售案大复活，顺势让海力士在NAND Flash产能上大为减少。

　　内存大厂赖以维生的DRAM和NAND Flash产品线，这1年来的获利表现，都让业者饿到肚子咕噜咕噜叫，很难长高又长壮，在要卖与不卖、持续生产与减少产出间，心情大幅摆荡；然就在此时终于有DRAM业者愿意设下止血，尔必达出面喊话，将2阶段调涨DRAM价格，日前也传出，海力士将减产NAND Flash产出，看来大家面临巨额亏损下，已渐渐做出适当的停损点。

　　海力士目前NAND Flash生产以8英寸厂为主，目前主流工艺为57纳米工艺，但以目前市场上的NAND Flash价格来看，从2Gb、4Gb、8Gb和16Gb的低容量到高容量，成本压力均相当大，然而海力士下世代48纳米工艺又还未成熟，良率和生产成本均未跨过经济规模， 若生产60纳米的NAND Flash，其实亏的比生产DRAM还要多。

　　根据下游业者透露，海力士已决定减产NAND Flash生产，预计在1.5~2个月后反映在产出上，意即海力士的第2季度的NAND Flash产出将呈现减少，预计减少的产出将占全球产能5%。内存业者分析，这对海力士是好事一桩，因为对整体获利结构将有帮助。

　　此外，日前也传出，海力士减少NAND Flash产出，是因为之前原本要出售生产NAND Flash的M8、M9的8英寸厂将出售，但后来此计划打住，当时也没说死一定不卖；然而近期即传出这2座8英寸厂还是打算出售，因为用8英寸厂来生产NAND Flash，实在不符合成本效应，因此对海力士而言，NAND Flash的产能也顺势减少。

　　海力士下世代NAND Flash的48纳米工艺，目前还未真正成熟，等到量产之时，生产成本可进一步下降，对整体获利有正面帮助，下游厂推断，但在48纳米工艺此之前，海力士必须做出对获利结构最有利的产品组合，因此宁愿选择减产成本较高的57纳米工艺NAND Flash芯片。

　　此外，在三星电子（Samsung）方面，目前工艺技术为50纳米工艺，下世代为40纳米工艺；东芝（Toshiba）目前工艺为56纳米，接下来将导入43纳米；英特尔（Intel）和美光（Micron）则是选择跳到35纳米工艺。

来源：SEMI