据《上海日报》报道，美国政府已经批准英特尔(Intel)可以在其位于大连的芯片厂使用65纳米工艺。

　　报道说，目前这家投资额为25亿美元的芯片厂正在兴建，投产时间也有所调整。报道援引该芯片厂总经理Kirby Jefferson的话说，目前预计在2010年上半年投产，并可能采用更加先进的工艺技术。

　　在2007年3月宣布这个芯片厂项目的时候，英特尔当时表示将在2010年投产，将采用届时会显得落后的90纳米工艺。《上海日报》援引的Jefferson话说，大约一年后英特尔将决定采用90纳米还是65纳米工艺。

　　英特尔Fab 68工厂在2007年9月动工兴建，预计工厂占地163,000平米，包括一个15,000平米的清洁室。

来源：国际电子商情